ZnxCd1-xS-MoSe2复合材料的制备及其光催化产氢性能研究

　　

构筑基于过渡金属硫属化物的Z-型半导体异质结多级结构是提高光催化效率的最具前景途径之一。本工作合成了由MoSe₂少层纳米片与Zn_xCd_1-xS多臂组装结构复合的Zn_xCd_1-xS-MoSe₂异质结光催化剂。通过一系列表征测试包括XRD、SEM、TEM、HRTEM、EDX和紫外-可见漫反射等对光催化剂的晶相和组成、形貌和微结构以及光响应能力等进行了分析。在可见光（λ > 400 nm）照射下，Zn_xCd_1-xS-MoSe₂复合材料表现出了高达2258.9 µmol·g^-1·h^-1的优良产氢速率，远超过单独的Zn_xCd_1-xS和MoSe₂以及Pt修饰的Zn_xCd_1-xS。研究结果表明，Zn_xCd_1-xS和MoSe₂之间形成了Z-型电荷转移路径，这有效增强了光生电荷的分离效率。而且，Zn掺杂上移了CdS的导带位置，因此提高了Zn_xCd_1-xS组分的光生电子还原能力。这些有利因素促成了Zn_xCd_1-xS-MoSe₂复合物出色的光催化产氢性能。

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